電壓擊穿試驗(yàn)儀 性能分析
電壓擊穿試驗(yàn)儀 性能分析
擊穿電壓高分子材料在一定電壓范圍內(nèi)是絕緣體,當(dāng)在材料上施
加的電壓逐漸增加,致使材料zui薄弱點(diǎn)失去絕緣能力而產(chǎn)生電弧材料被
破壞。此時(shí)的zui大電壓稱為擊穿電壓。我們把擊穿電壓和此時(shí)材料的厚
度比稱為介電強(qiáng)度也稱為電氣強(qiáng)度。
電壓擊穿試驗(yàn)儀
介電強(qiáng)度試樣擊穿時(shí),單位厚度承受的擊穿電壓值單位為
kv/mm或Mv/m。有時(shí)也稱為電氣強(qiáng)度或擊穿強(qiáng)度。通常介電強(qiáng)度越高,
材料的絕緣質(zhì)量越好。介電強(qiáng)度是表征了材料所能承受的zui大電場(chǎng)強(qiáng)
度是高聚物絕緣材料的一項(xiàng)重要指標(biāo)。
耐壓電壓在規(guī)定的試驗(yàn)條件下,對(duì)試樣施加規(guī)定的電壓及時(shí)間,
試樣不被擊穿所能承受的zui高電壓。
電壓擊穿試驗(yàn)儀
塑料的電擊穿機(jī)理介電擊穿機(jī)理可分為電擊穿、熱擊穿、化學(xué)
擊穿、放電擊穿等往往是多種機(jī)理綜合發(fā)生。
通常把不隨溫度變化的
擊穿稱為電擊穿把隨溫度變化的擊穿稱為熱擊穿。熱擊穿的外部表現(xiàn)
是介電強(qiáng)度隨溫度升高而迅速下降與施加電壓作用的長(zhǎng)短有關(guān)與電
場(chǎng)畸變及周圍介質(zhì)的電性能關(guān)系不大擊穿點(diǎn)多發(fā)生在電極內(nèi)部。介質(zhì)
在電場(chǎng)中產(chǎn)生的熱量大于它能散發(fā)的熱量使其內(nèi)部溫度不斷升高。溫
度升高導(dǎo)致其電阻下降流經(jīng)試樣電流增大產(chǎn)生的熱量更多如此循
環(huán)不已致使介質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N聚集態(tài)失去耐電壓能力,材料被破壞。
電擊穿的特點(diǎn)是介電強(qiáng)度與周圍介質(zhì)的電性能有關(guān)擊穿點(diǎn)常常出現(xiàn)在
電極邊緣其至電極以外。
電壓擊穿試驗(yàn)儀
介電強(qiáng)度測(cè)試的影響因素電壓波形及電壓作用時(shí)間影響。材料在
電場(chǎng)作用下初始時(shí)單位時(shí)間內(nèi)材料內(nèi)部產(chǎn)生的熱量大于介質(zhì)散發(fā)出去
的熱量進(jìn)而介質(zhì)溫度升高,溫度的升高是一個(gè)由快轉(zhuǎn)慢的若升壓速
度較慢zui后發(fā)生材料擊穿熱擊穿的成分較大。作用時(shí)間的影響多因熱量
積累而使擊穿電壓值隨電壓作用時(shí)間增加而下降處于熱擊穿形式的試
樣基本上隨升壓速度的提高擊穿強(qiáng)度也增大。因此一般規(guī)定試樣擊穿電壓低于20kv時(shí)升壓速度為1.0kv/s;大于或等于20kv時(shí)升壓速度為
2.0kv/s。
